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- QP101死区发生器
- QP102死区发生器
- JKDF1光纤驱动接口
 

TX-KD303T 低频半桥驱动器
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特点

  • 采用本公司的分时式自给电源发明专利技术，无需隔离电源
  • MOSFET(IGBT)半桥隔离驱动器
  • 关断时输出负电平，可靠关断
  • 最低工作频率3KHz

应用

  • 用于驱动半桥、全桥、推挽正激变换器中的两只大功率MOSFET或IGBT管,适用的器件封装大致为TO-3P、TO-247，电流容量范围为20－60A，电压容量范围为400－1700V，栅源电容Cgs范围为4.7-22nF。
  • PWM/PFM控制和移相控制均可

主要参数

参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输入脉冲信号幅值 Vs  
11
12
13
V
输出电压 Vo+  
 
14
 
V
Vo-  
 
-4
 
输出电流 Io+ 电容负载
 
 
3
A
Io-
 
 
-3
输出电荷 Qout  
 
 
1
μ C
工作频率 Fop
3
15
KHz
驱动功率 Po 每路
 
 
1
W
占空比 δ  
5
 
47
%
工作环境温度 Top  
-40
 
85
℃

外形照片


应用连接

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